1.2。实验室光源在氙弧灯下风化作用发生时，材料在实际日光或日光透过窗户玻璃过滤的环境暴露下照射GydF4y2Ba

光源由一个或多个石英夹套氙弧灯从低于GydF4y2Ba270GydF4y2Ba纳米的紫外线辐射通过可见光和红外线。为了模拟日光GydF4y2Ba，GydF4y2Ba过滤器应当删除短波的紫外线辐射GydF4y2Ba（GydF4y2Ba方法见表GydF4y2Ba1）GydF4y2Ba。过滤器来减少辐照度在GydF4y2Ba310GydF4y2Ba纳米波长短于应当用来模拟日光透过窗玻璃GydF4y2Ba（GydF4y2Ba方法GydF4y2BaB，GydF4y2Ba见表GydF4y2Ba2）GydF4y2Ba。此外GydF4y2Ba，GydF4y2Ba过滤器去除红外辐射可用于防止不切实际的试样的加热GydF4y2Ba，GydF4y2Ba会导致热降解没有遇到过在户外暴露。GydF4y2Ba

注意太阳光谱辐照度的不同大气条件下被描述。基准的日光中使用GydF4y2BaISO 4892GydF4y2Ba的这部分是定义在表GydF4y2Ba4GydF4y2Ba在GydF4y2BaCIE 85：1989GydF4y2Ba。光谱辐照度的氙弧灯和日光过滤器。GydF4y2Ba

3辐照度均匀性GydF4y2Ba

辐照度在任何位置在该地区用于标本应至少有GydF4y2Ba80％GydF4y2Ba的最大辐射的敞口。要求定期重新定位的标本不满足这个要求GydF4y2Ba，GydF4y2Ba阐述了在GydF4y2BaISO 4892 - 1GydF4y2Ba。GydF4y2Ba

注意对一些材料的高反射率GydF4y2Ba，GydF4y2Ba周期性的重新定位的标本建议确保一致性GydF4y2Ba

曝光GydF4y2Ba，GydF4y2Ba即使在辐照度均匀性的接触面积范围内GydF4y2Ba，GydF4y2Ba以便重新定位产品GydF4y2Ba

不是必需的。GydF4y2Ba

4.2GydF4y2Ba试验箱GydF4y2Ba

试验箱的设计可能不同GydF4y2Ba，GydF4y2Ba但它应当由惰性材料。除了控制辐照度GydF4y2Ba，GydF4y2Ba控制温度的试验箱应提供。曝光GydF4y2Ba，GydF4y2Ba需要控制湿度GydF4y2Ba，GydF4y2Ba测试室应包括湿度控制设施GydF4y2Ba，GydF4y2Ba满足GydF4y2BaISO 4892 - 1GydF4y2Ba的要求。当使用所需的曝光GydF4y2Ba，GydF4y2Ba装置还应包括提供喷水设施或冷凝水的形成表面的测试标本GydF4y2Ba，GydF4y2Ba或标本的浸在水里。水用于喷水应当符合GydF4y2BaISO 4892 - 1GydF4y2Ba的要求。GydF4y2Ba

应当位于光源GydF4y2Ba（一个或多个），GydF4y2Ba对标本GydF4y2Ba，GydF4y2Ba这样的辐照度试样的表面符合GydF4y2Ba6.1GydF4y2Ba。GydF4y2Ba

注意如果灯系统GydF4y2Ba（GydF4y2Ba一个或多个灯GydF4y2Ba）GydF4y2Ba集中定位于室GydF4y2Ba，GydF4y2Ba任何偏心的影响在灯的一致性GydF4y2Ba（S）GydF4y2Ba暴露可能减少使用一个旋转框架带着标本或通过重新定位旋转灯。GydF4y2Ba

应该任何臭氧生成的操作灯GydF4y2Ba，GydF4y2Ba灯GydF4y2Ba（S）GydF4y2Ba应隔绝式样和操作人员。如果臭氧空气流GydF4y2Ba，GydF4y2Ba应当直接排放到外部建筑。GydF4y2Ba

4.3GydF4y2Ba辐射计GydF4y2Ba

当辐射计的使用，应符合GydF4y2BaISOGydF4y2Ba的要求GydF4y2Ba4892-1GydF4y2Ba

4.4GydF4y2Ba黑色标准GydF4y2Ba/GydF4y2Ba黑色面板温度计GydF4y2Ba

黑色的标准或黑色面板温度计使用应符合GydF4y2BaISOGydF4y2Ba的要求，这些设备给出GydF4y2Ba4892-1GydF4y2Ba。GydF4y2Ba

4.5GydF4y2Ba加湿和湿度控制设备GydF4y2Ba

4.5.1GydF4y2Ba

一般标本可能暴露于水分的形式，水喷雾或冷凝，或通过浸泡，采用水喷雾具体的接触条件如表GydF4y2Ba3GydF4y2Ba所示。如果冷凝，浸泡或其他方法用来暴露试样的水分，具体的程序和曝光条件应包括在风险报告。GydF4y2Ba

表GydF4y2Ba3GydF4y2Ba描述了曝光条件，相对湿度的控制，湿度控制，以及那些不需要。GydF4y2Ba

注空气的相对湿度可以对聚合物的光降解的影响GydF4y2Ba

4.5.2GydF4y2Ba相对湿度控制设备GydF4y2Ba

暴露在相对湿度控制是必需的，用来测量湿度传感器的安装位置应在GydF4y2BaISO 4892-1GydF4y2Ba指定。GydF4y2Ba

4.5.3GydF4y2Ba喷雾系统GydF4y2Ba

试验室应配备指挥间歇喷淋到试样的正面在特定条件下的一种手段。喷雾应均匀分布在用。喷雾系统应采用耐腐蚀材料，不污染水的使用。GydF4y2Ba

水喷射到试样表面应具有以下GydF4y2Ba五GydF4y2BaμGydF4y2BaS /厘米GydF4y2Ba电导率，含有小于GydF4y2Ba1GydF4y2Baμ克GydF4y2Ba/GydF4y2Ba克溶解的固体和离开没有明显的污渍或沉积在试样。应注意保持二氧化硅含量低于GydF4y2Ba0.2GydF4y2BaμGydF4y2BaGGydF4y2Ba/GydF4y2BaGGydF4y2Baμ结合去离子和反渗透可以用来对所期望的质GydF4y2Ba

4.6GydF4y2Ba标本持有人GydF4y2Ba

标本持有人可以在一个开放的框架形式，使试样暴露背部，或可能提供的标本有坚实的后盾。他们应当由惰性材料，不会影响曝光的结果，例如非氧化铝或不锈钢合金。黄铜，钢和铜不得用于试验样品附近。支持使用可能会影响结果，作为空间依托和试样之间，特别是与透明标本，并应得到对当事人之间。GydF4y2Ba

b4.7GydF4y2Ba设备，以评估属性的变化GydF4y2Ba

该装置所要求的国际标准的有关性能的测定进行监测（参见GydF4y2BaISO 4582GydF4y2Ba）应使用。GydF4y2Ba

五GydF4y2Ba试样GydF4y2Ba

参照GydF4y2BaISO 4892-1GydF4y2Ba

6GydF4y2Ba曝光条件GydF4y2Ba

6.1GydF4y2Ba辐射GydF4y2Ba

除非另有规定，控制在表3中所示的水平上的照度。其他辐射平面用于当约定的当事人。发光，并带它进行，应包括在风险报告。GydF4y2Ba